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mosfet 功率放大,mos管 功放

來(lái)源:頭條 作者: chanong
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1.什么是功率放大器?功率放大器是音頻系統(tǒng)中最基本的器件之一,俗稱(chēng)“放大器”,作用是將信號(hào)源發(fā)出的微弱信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。電信號(hào)(在專(zhuān)業(yè)音頻系統(tǒng)中,來(lái)自混音器)被放大以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器并產(chǎn)生聲音。它還可以指其他執(zhí)行功率放大的設(shè)備。

功率放大器的作用是放大音源或前置放大器發(fā)出的微弱信號(hào),推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出聲音。一個(gè)好的音響系統(tǒng)放大器起著重要的作用。功率放大器是各類(lèi)音響設(shè)備中最大的一個(gè)家族,其主要作用是將音源設(shè)備輸入的微弱信號(hào)放大,使其足夠強(qiáng)以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器并再現(xiàn)聲音。就是產(chǎn)生大電流。不同的放大器有不同的內(nèi)部信號(hào)處理、電路設(shè)計(jì)和制造工藝,考慮到功率、阻抗、失真、動(dòng)態(tài)、不同的使用范圍以及控制和調(diào)節(jié)特性。

二、MOS管作為功率放大器的優(yōu)缺點(diǎn)分析1、MOS管作為功率放大器的優(yōu)點(diǎn) MOS管功率放大器激勵(lì)功率小,輸出功率大,輸出漏極電流為負(fù)溫度系數(shù),具有耐用、安全的特點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)包括高可靠性、高工作頻率和偏置以及簡(jiǎn)單性。通過(guò)將運(yùn)算放大器的輸出作為OCL的輸入,可以獲得抑制零點(diǎn)漂移的效果。 中頻厚實(shí),沒(méi)有三極管那樣的分頻失真。電流推進(jìn)級(jí)通常由一級(jí)或兩級(jí)組成,但兩級(jí)電流推進(jìn)常用于降低輸出阻抗和增加阻尼系數(shù)。防止電流升壓級(jí)開(kāi)關(guān)失真的一個(gè)好方法是使用MOS管來(lái)增大該級(jí)的靜態(tài)電流,避免該級(jí)的開(kāi)關(guān)失真。由于輸出級(jí)始終處于放大區(qū),因此輸出級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)或交越失真。 MOS管的線(xiàn)性度優(yōu)于晶體管。 2、MOS管作為功率放大器的缺點(diǎn): 低頻溫和性不如晶體管功率放大器MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管很容易被輸出和輸入過(guò)載損壞MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有基本的優(yōu)點(diǎn)。但使用后我很快發(fā)現(xiàn)這款功放的可靠性并不高(沒(méi)有外部電路保護(hù)),開(kāi)關(guān)速度也沒(méi)有太大提升,最大輸出也只有150W/8。 20 世紀(jì)90 年代初,MOSFET 制造技術(shù)的重大進(jìn)步導(dǎo)致了高速M(fèi)OSFET 和高功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的推出。西班牙ECLER公司經(jīng)過(guò)多年的研究,攻克了SPM無(wú)損保護(hù)系統(tǒng)專(zhuān)利技術(shù),推出了第三代功放產(chǎn)品,該產(chǎn)品結(jié)合了真空管功放和晶體管功放兩者的優(yōu)點(diǎn)。開(kāi)始在歐洲市場(chǎng)應(yīng)用,并逐漸在全球范圍內(nèi)應(yīng)用。第三代MOSFET放大器的中高頻音質(zhì)接近電子管放大器,但低頻溫和度則遜色于晶體管放大器。容易因輸出和輸入過(guò)載而損壞。 開(kāi)路電壓過(guò)高。 即使偏置電流開(kāi)得很高,也會(huì)出現(xiàn)一定的交越失真,但如果沒(méi)有交越失真,幾乎可以跟上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。 同批次內(nèi)MOS管匹配不易,但匹配相對(duì)容易。 MOS管在低音范圍太硬,有一個(gè)簡(jiǎn)單的方法可以用MOS放大器聽(tīng)到所謂的真空管聲音,這就是用JFET代替普通三極管放大器中的推壓三極管。真正意義上的真空管。音色。

3、功放電路設(shè)計(jì)功放電路往往要求具有負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,但從能量控制和轉(zhuǎn)換的角度來(lái)看,與其他功放電路沒(méi)有根本區(qū)別,也不是簡(jiǎn)單的簡(jiǎn)單,只是沒(méi)有't。輸出高電壓并不僅僅意味著輸出大電流,而是在電源電壓確定的情況下,輸出盡可能多的功率。本電路采用如下圖所示的兩個(gè)MOS管組成的功放電路。該電路由N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別連接而成,RP2和RP3為偏置電阻,用于調(diào)節(jié)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。特征頻率fT與放大電路的上限頻率fH的關(guān)系為fTfhh,系統(tǒng)階躍對(duì)應(yīng)的上升時(shí)間tr與放大電路的上限頻率的關(guān)系為trfh=0.35。

對(duì)于OCL放大器,一般為:PTM 0.2POM,其中PIM為單管最大管損耗,POM為不失真情況下最大輸出管損耗。根據(jù)計(jì)算,本設(shè)計(jì)考慮到項(xiàng)目需求,采用IRF950和IRF50實(shí)現(xiàn)功率放大。來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)編輯

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1.什么是功率放大器?功率放大器是音頻系統(tǒng)中最基本的器件之一,俗稱(chēng)“放大器”,作用是將信號(hào)源發(fā)出的微弱信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。電信號(hào)(在專(zhuān)業(yè)音頻系統(tǒng)中,來(lái)自混音器)被放大以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器并產(chǎn)生聲音。它還可以指其他執(zhí)行功率放大的設(shè)備。

功率放大器的作用是放大音源或前置放大器發(fā)出的微弱信號(hào),推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出聲音。一個(gè)好的音響系統(tǒng)放大器起著重要的作用。功率放大器是各類(lèi)音響設(shè)備中最大的一個(gè)家族,其主要作用是將音源設(shè)備輸入的微弱信號(hào)放大,使其足夠強(qiáng)以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器并再現(xiàn)聲音。就是產(chǎn)生大電流。不同的放大器有不同的內(nèi)部信號(hào)處理、電路設(shè)計(jì)和制造工藝,考慮到功率、阻抗、失真、動(dòng)態(tài)、不同的使用范圍以及控制和調(diào)節(jié)特性。

二、MOS管作為功率放大器的優(yōu)缺點(diǎn)分析1、MOS管作為功率放大器的優(yōu)點(diǎn) MOS管功率放大器激勵(lì)功率小,輸出功率大,輸出漏極電流為負(fù)溫度系數(shù),具有耐用、安全的特點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)包括高可靠性、高工作頻率和偏置以及簡(jiǎn)單性。通過(guò)將運(yùn)算放大器的輸出作為OCL的輸入,可以獲得抑制零點(diǎn)漂移的效果。 中頻厚實(shí),沒(méi)有三極管那樣的分頻失真。電流推進(jìn)級(jí)通常由一級(jí)或兩級(jí)組成,但兩級(jí)電流推進(jìn)常用于降低輸出阻抗和增加阻尼系數(shù)。防止電流升壓級(jí)開(kāi)關(guān)失真的一個(gè)好方法是使用MOS管來(lái)增大該級(jí)的靜態(tài)電流,避免該級(jí)的開(kāi)關(guān)失真。由于輸出級(jí)始終處于放大區(qū),因此輸出級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)或交越失真。 MOS管的線(xiàn)性度優(yōu)于晶體管。 2、MOS管作為功率放大器的缺點(diǎn): 低頻溫和性不如晶體管功率放大器MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管很容易被輸出和輸入過(guò)載損壞MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有基本的優(yōu)點(diǎn)。但使用后我很快發(fā)現(xiàn)這款功放的可靠性并不高(沒(méi)有外部電路保護(hù)),開(kāi)關(guān)速度也沒(méi)有太大提升,最大輸出也只有150W/8。 20 世紀(jì)90 年代初,MOSFET 制造技術(shù)的重大進(jìn)步導(dǎo)致了高速M(fèi)OSFET 和高功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的推出。西班牙ECLER公司經(jīng)過(guò)多年的研究,攻克了SPM無(wú)損保護(hù)系統(tǒng)專(zhuān)利技術(shù),推出了第三代功放產(chǎn)品,該產(chǎn)品結(jié)合了真空管功放和晶體管功放兩者的優(yōu)點(diǎn)。開(kāi)始在歐洲市場(chǎng)應(yīng)用,并逐漸在全球范圍內(nèi)應(yīng)用。第三代MOSFET放大器的中高頻音質(zhì)接近電子管放大器,但低頻溫和度則遜色于晶體管放大器。容易因輸出和輸入過(guò)載而損壞。 開(kāi)路電壓過(guò)高。 即使偏置電流開(kāi)得很高,也會(huì)出現(xiàn)一定的交越失真,但如果沒(méi)有交越失真,幾乎可以跟上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。 同批次內(nèi)MOS管匹配不易,但匹配相對(duì)容易。 MOS管在低音范圍太硬,有一個(gè)簡(jiǎn)單的方法可以用MOS放大器聽(tīng)到所謂的真空管聲音,這就是用JFET代替普通三極管放大器中的推壓三極管。真正意義上的真空管。音色。

3、功放電路設(shè)計(jì)功放電路往往要求具有負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,但從能量控制和轉(zhuǎn)換的角度來(lái)看,與其他功放電路沒(méi)有根本區(qū)別,也不是簡(jiǎn)單的簡(jiǎn)單,只是沒(méi)有't。輸出高電壓并不僅僅意味著輸出大電流,而是在電源電壓確定的情況下,輸出盡可能多的功率。本電路采用如下圖所示的兩個(gè)MOS管組成的功放電路。該電路由N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別連接而成,RP2和RP3為偏置電阻,用于調(diào)節(jié)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。特征頻率fT與放大電路的上限頻率fH的關(guān)系為fTfhh,系統(tǒng)階躍對(duì)應(yīng)的上升時(shí)間tr與放大電路的上限頻率的關(guān)系為trfh=0.35。

對(duì)于OCL放大器,一般為:PTM 0.2POM,其中PIM為單管最大管損耗,POM為不失真情況下最大輸出管損耗。根據(jù)計(jì)算,本設(shè)計(jì)考慮到項(xiàng)目需求,采用IRF950和IRF50實(shí)現(xiàn)功率放大。來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)編輯


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