很多人認(rèn)為更高的內(nèi)存頻率意味著更快的性能，尤其是英特爾第12代酷睿處理器支持DDR5，很多人認(rèn)為升級到DDR5會帶來更好的性能，更多的人會想要它。事實真的如此嗎？如下圖所示，兩款內(nèi)存都是同樣的G.SKILL DDR4 3600MHz 16GBx2內(nèi)存，那么為什么價格會相差500多呢？由于CL時間不同，一個是18-22-22-42，另一個是16-19-19-39，這個差異值超過500。那么內(nèi)存CL 時序到底是什么？它如何影響性能？

內(nèi)存訪問和定位行和列數(shù)據(jù)，類似于Excel 表格。內(nèi)存時序是指訪問行和列所需的周期數(shù)（周期不等于時間）。主要有四種類型：CL、tRCD、tRP 和tRAS。 CL 表示內(nèi)存訪問列所需的周期數(shù)。下圖是16。 tRCD 表示存儲器訪問一行所需的最小周期數(shù)。下圖中為15。 tRP 表示打開所需的最小周期數(shù)tRAS 表示行活動和下一行發(fā)布之間的最小周期數(shù)�？此茝�(fù)雜，但最重要的是第一個CL。

CL的正式名稱是CAS Latency，即訪問一列內(nèi)存的延遲時間。在頻率相同的情況下，CL的值越小，內(nèi)存速度越快。就像你看小說一樣，一旦找到一行，你所要做的就是讀完該行的每一列，直到讀完一行才讀下一行。一旦內(nèi)存找到了數(shù)據(jù)所在的行，剩下的本質(zhì)上就是列操作，直到讀取到該行才進行行操作。因此，CL值對于記憶來說非常重要。

從上表中我們可以看到，隨著內(nèi)存頻率的增加，CL（表中CAS Latency）的值也隨之增加。 DDR5 4800MHz的CL值為40個時鐘周期，比DDR4大。這也是DDR5相對DDR4并沒有太大改進的原因：頻率越高，延遲越高。由于CL與時鐘周期和內(nèi)存頻率有關(guān)，很難比較，所以必須用時間來代替。 CL 延遲時間=1/(DDR 頻率/2)*CL 周期*1000。

式中1代表1秒。 DDR的正式名稱是Double Data Rate，即通過將內(nèi)存頻率除以2來使數(shù)據(jù)傳輸速率加倍。如下圖，SDR不需要劃分。 QDR 必須分開。上圖中的DDR4 和DDR5 都需要除以2，以確定內(nèi)存時鐘頻率為4。要將微秒轉(zhuǎn)換為納秒，請乘以1000。因此，上圖中DDR5 4800MHz的CL延遲時間=1/(4800/2)*40*1000=16.67ns。

內(nèi)存CL、tRCD等可以從BIOS更改，但是如下圖所示，1600MHz 16CL和1500MHz 15CL哪個更快？使用上面的公式計算CL延遲是10ns，所以速度幾乎是一樣的。除了CL 延遲之外，還有其他幾個因素決定內(nèi)存速度。不過，CL的影響力更大。

現(xiàn)在讓我們解決第一張圖片，為什么后者比前者更貴。 2099的CL延遲時間為8.89ns，1549的CL延遲時間為10ns，而且2099的訪問速度更快，因此成本更高。