許多電腦用戶在為電腦選擇內(nèi)存時(shí)只關(guān)注內(nèi)存品牌、內(nèi)存容量、內(nèi)存頻率。內(nèi)存時(shí)序并沒有得到太多的關(guān)注，它實(shí)際上是一個(gè)內(nèi)存參數(shù)，但是內(nèi)存時(shí)序是什么意思呢？很少有用戶了解內(nèi)存時(shí)序的好壞，推測(cè)是沒有。接下來我們就來介紹一下內(nèi)存時(shí)序的一些基礎(chǔ)知識(shí)。

1. 內(nèi)存時(shí)序是什么意思？?jī)?nèi)存時(shí)序是一組描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）性能的四個(gè)參數(shù)（CL、TRCD、TRP、TRAS），以時(shí)鐘周期表示。這些通常寫為用破折號(hào)分隔的四個(gè)數(shù)字，下圖中列出的16-18-18-36 代表該內(nèi)存的時(shí)序。 （第四個(gè)參數(shù)經(jīng)常被省略，但有時(shí)會(huì)增加第五個(gè)參數(shù)。命令速率，通常也寫為2T或1T、2N、1N。）對(duì)于這四組數(shù)字： 其中CL對(duì)性能影響最大明顯的。許多產(chǎn)品在產(chǎn)品名稱中都會(huì)顯示內(nèi)存CL指示符，DDR4內(nèi)存的起始值通常在15左右，而DDR3內(nèi)存的值在5到11之間，分為三組：數(shù)字也會(huì)更小。這意味著在相同頻率下，DDR3內(nèi)存比DDR4更快（小編并不否認(rèn)DDR4）。

2. 內(nèi)存時(shí)序是越高越好嗎？ 內(nèi)存時(shí)序參數(shù)指定影響RAM 速度的延遲。一般來說，數(shù)字越低意味著性能越好，因此對(duì)于相同的內(nèi)存頻率，內(nèi)存時(shí)序越低越好。通常，您只需要查看內(nèi)存時(shí)序中的第一個(gè)數(shù)字，數(shù)字越小越好。 3. 內(nèi)存選型建議事實(shí)上，內(nèi)存時(shí)序并不是選擇內(nèi)存時(shí)首要考慮的因素。相反，首先檢查容量，然后檢查頻率，最后比較內(nèi)存時(shí)序。例如，如果你有兩條相同容量和頻率的內(nèi)存，它們的時(shí)序分別是16-18-18-38和17-17-17-39，那么前者的性能自然會(huì)更好。 （當(dāng)然，你還應(yīng)該考慮內(nèi)存的品牌。最好選擇時(shí)序好的大品牌內(nèi)存，而不是時(shí)序差的仿牌內(nèi)存。） 4. 檢查計(jì)算機(jī)的內(nèi)存時(shí)序我該怎么做？下載CPU后- Z軟件，在內(nèi)存選項(xiàng)卡中可以看到四個(gè)值：CL、TRCD、TRP、TRAS。

內(nèi)存時(shí)序通常寫在內(nèi)存銘牌上，但如果內(nèi)存上沒有寫時(shí)序，也可以通過軟件（CPU-Z）檢查內(nèi)存時(shí)序�？偨Y(jié)：如何選擇內(nèi)存時(shí)序呢？同樣的內(nèi)存容量和頻率，時(shí)序越低越好。不過，內(nèi)存時(shí)序?qū)��?nèi)存性能的影響非常小，除了基準(zhǔn)測(cè)試軟件反映的差異外，在正常計(jì)算機(jī)使用過程中根本不明顯。為了安全起見，我們建議選擇值得信賴的品牌。