GaN是近兩年手機及手機周邊廠商經(jīng)常提及的材料，采用它的電源適配器據(jù)說可以同時實現(xiàn)高輸出和小型化。

GaN實際上是氮化鎵的化學(xué)式，與SiC碳化硅、AlN氮化鋁等并稱為第三代半導(dǎo)體。

氮化鎵的GaN纖鋅礦結(jié)構(gòu)（大球體為Ga，小球體為N）

距離“半導(dǎo)體”這個詞的使用已經(jīng)過去了100多年，半導(dǎo)體材料也已經(jīng)發(fā)展到了第三代，不過這三代半導(dǎo)體材料并不是替代品，而是各自有著不同的特性，而今天他們就是活躍于各個領(lǐng)域。

第一代半導(dǎo)體材料是指Si、Ge、Ge等材料，它們打開了集成電路的大門，并影響至今。第二代半導(dǎo)體材料非常豐富，包括砷化鎵、砷化鎵、磷化銦等。磷化銦等有機半導(dǎo)體也屬于第二類半導(dǎo)體，適合制作高速、高頻、大功率、發(fā)光電子器件，促進了無線通信的發(fā)展。通信和光通信。

第三代半導(dǎo)體材料除了具有較寬的能隙外，還具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、擊穿電場、電子飽和率、抗輻射能力等，因此適用于高溫、高頻、大功率的半導(dǎo)體材料。制造業(yè)。這些設(shè)備將有助于推動射頻通信、電力電子、激光和電源管理等領(lǐng)域的發(fā)展。

*注：“能隙”也可以表示“能帶隙”或“帶隙寬度”。在固態(tài)物理學(xué)中，一般指半導(dǎo)體中價帶頂部到價帶底部的能隙，絕緣體.點.導(dǎo)帶。

GaN晶體的長度約為3毫米（照片：維基百科）

GaN作為繼SiC之后的第三代半導(dǎo)體，其寬能隙和光譜特性使得在LED照明和激光領(lǐng)域發(fā)展極為成熟，在高頻器件和功率器件等領(lǐng)域的發(fā)展也在取得進展。 我在這。應(yīng)用領(lǐng)域取得了顯著改進，特別是在5G通信的發(fā)展、GaN高頻器件的使用以及MIMO天線陣列的尺寸和功耗方面。

近兩年，手機充電的電源適配器也受益于GaN“紅利”，現(xiàn)在可以兼顧原有大功率電源適配器的尺寸。這是GaN材料在“電力”領(lǐng)域的應(yīng)用之一。設(shè)備”。

由于GaN材料的上述特性，該電源適配器可以從根本上降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提高轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率，同時縮小變壓器的尺寸，提高轉(zhuǎn)換效率，并減少發(fā)熱和發(fā)熱。減少熱量。可以進一步節(jié)省材料，這自然會減小電源適配器的整體尺寸并提高轉(zhuǎn)換效率。

還提供更大的GaN 電源適配器

目前，GaN電源適配器才剛剛開始流行。市場上大功率氮化鎵電源適配器的價格超過100元。隨著更多制造商進入市場，工藝進一步改進，供應(yīng)鏈成本降低。在不久的將來，氮化鎵電源適配器一定會普及，已經(jīng)突破百元大關(guān)。